LED芯片發展趨勢：西安電子大屏租賃
日期：2020-06-09 / 人氣：235
這項技術起初是由惠普公司在AlGaInP/GaAsLED上實現的。GaAs襯底使LED內部的光吸收損耗非常大。通過剝離GaAs襯底，然后在透明間隙襯底上進行鍵合，可以提高近兩倍的發光效率。藍寶石襯底激光剝離（LLO）技術是在Ga同質外延技術基礎上發展起來的。2003年2月，OSRAM采用LLO工藝去除藍寶石，使LED的光輸出效率提高到75%，是傳統LED的3倍。目前，他們擁有第一條LLO生產線。
表面粗化技術
然而，直接粗化易損傷活性層，制備透明電極更為困難。目前，通過改變外延片的生長條件來獲得表面粗化是一種可行的工藝。
制備基于二維光子晶體的微結構
這也是一種提高光效率的方法。2003年9月，日本松下電器股份有限公司研制了一種直徑為1.5μm的光子晶體的LED，0.5μm的凸點可以使光輸出提高60%。
倒裝芯片技術（Flip-Chip）
解決了藍寶石電極光阻和散熱不良的問題，并能從藍寶石襯底上發出光。根據Lumileds的結果，倒裝芯片的光學效率提高了1.6倍。
芯片表面處理技術
主要技術使用表面微結構或前光的表面紋理（表面紋理），以提高效率。UVLED表面（圖案化）技術，以通過圖案增加光功率轉換，表面處理后，提高了UVLED的光提取效率。
全方位反射膜
發展大功率大尺寸芯片
在大規模芯片設計中應注意兩個問題：一是大驅動電流下光學效應的降低；二是低擴散電阻的p電極的設計，以減小功耗引起的熱效應。
提高側向出光的利用效率
需要在發光區底部設計具有特殊幾何規格的襯底（前發射光）或外延層材料（后發射光），并在適當的區域涂覆高反射層膜，從而提高器件的橫向發光利用率和輸出功率。
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